以 GaN 为基本材料的 III 族氮化物（AlN、GaN、InN）采用能带调制方法， 理论上可以实现自红外至深紫外的发光器件，其在半导体照明领域的绿光、蓝光 和白光 LED 应用方面已经取得了巨大的成功。随着 AlN 类材料研究的深入，GaN 基紫外 LED 的研究成为国际热点。但由于 AlN 和 AlGaN 的生长和 p 型掺杂均是国 8 际技术难题，紫外 LED 的研究和应用尚有很大的限制，该项目实施前我国在本领 域尚属空白。 该项目从创新的生长动力学入手，提出了表面增强反应的分时输运脉冲生长 方法、脉冲超晶格数字晶体 p 型掺杂方法，并将这些创新方法应用于紫外 LED 结构，解决了高光效紫外 LED 制造的国际难题。 该项目在GaN基紫外LED核心材料和器件结构方面取得了多项关键技术的突 破,多项材料指标和器件指标处于国际领先或国际先进水平。成果已进行了产业 化应用，产品应用于光固化、快速成型、印刷、农业等领域。 获奖情况：陕西省科学技术奖励一等奖。