摘要：本发明涉及一种采用蒸发镀膜可控制备多级次Bi-Sb-Te倾斜柱阵列的方法，主要步骤如下：将质量百分比纯度为99.99%的Bi1.5Sb0.5Te3粉末在8～10MPa压力下压制成Bi1.5Sb0.5Te3块体；将0.1～0.2g的Bi1.5Sb0.5Te3块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中；向真空室内充入2～5min高纯氮气后停止，随后对真空室抽真空；打开加热控温电源，温度升至预定温度250～350℃后，在PID控制器上设定沉积速率12～20nm/min，沉积时间2～3h；开启交流电源，调节输出电流160～170A；开始在基板上沉积制备多级次Bi1.5Sb0.5Te3倾斜柱阵列。整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产，所得到的多级次Bi1.5Sb0.5Te3柱阵列倾斜生长，且纳米线、柱阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布，应用效果非常显著。
发明人：谭明 郝延明 蔡元学 秦月婷 谢宁 吴泽华
联系人：宋巍；刘胜斌
联系电话：022-60600153；022-60600161