项目简介：
SiC粗抛液：适用于SiC衬底的粗抛光。特选粒径均一的Al2O3为磨料，抛光清洗后晶圆表面粗糙度低、
划伤少，颗粒残留少。客户在使用过程中通过优化抛光工艺，均能达到最佳研磨效果。具有去除速率高（5um/h
以上）、易清洗等特点。
SiC精抛液：适用于SiC衬底的精抛光。SiC精抛液是以A+B液的形式提供给客户，硅溶胶为磨料。抛光
清洗后表面粗糙度能够满足6-8吋SiC晶圆表面的要求，具有去除速率高（1um/h以上）、易清洗的特点。
市场前景：
碳化硅作为第三代半导体最主要的衬底材料，具有宽禁带、高击穿强度、高热导率、高饱和电子速率和
抗辐射能力；同时，还具有高硬度（莫氏硬度为9.6,仅次于金刚石）、耐高温以及更稳定的化学性质等特点广
泛应用于卫星通信、集成电路和消费电子等领域。作为功率器件也在5G通讯、电动汽车、物联网等领域使用，
成为制造半导体器件的核心。碳化硅衬底需求每年以500%的速率增长，市场潜力巨大。
实施条件：
此项目的实施过程需要标准厂房，原材料全部为国产。新成立企业需要投入的资金约为300-500万元。