所属领域： A 电子信息技术

可采用的转化方式： 技术转让 技术许可(授权)

技术成果简介

    5G新基建是国家的重要发展战略，宽温高可靠的25Gb/s DFB(分布反馈)激光器芯片是5G光传输核心光芯片，也是当前5G建设的卡脖子问题之一。自主可控的5G光模块DFB激光器芯片对解决光通信“空芯化”问题，推进“中国芯”国家重大战略实施，保障我国通信基础设施安全具有重要的经济和社会效益。因DFB激光器的微分增益随温度上升迅速下降，常规的DFB激光器面临严重的高温高带宽瓶颈。面对5G应用要求的-40~85℃的宽温应用场景，常规DFB激光器芯片往往是负荷运行，严重影响可靠性。因此，研制全国产宽温25Gb/s DFB激光器芯片，同时兼顾低成本高可靠需求对推进“中国芯”国家重大战略实施具有重要意义。【成果介绍】本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。通过优化脊与沟槽的距离，可使芯片带宽达到28.7GHz(@25℃)和15.3GHz(@85℃)，芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于0.5%，具有高可靠性。

技术成果前景

   根据LightCounting预测，2026年，全球光模块市场份额将从2020年80亿增至145亿美元，同时根据赛迪顾问预测，我国的光芯片市场规模将从2020年6.1亿元增至2025年182.3亿元，市场空间极为广阔，增速迅猛。

联系人信息

联系人： 苏经理

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