在河北自然科学基金杰出青年项目（批准号：A2019210204）等资助下，石家庄铁道大学材料学院赵晋津教授提出光电双控对钙钛矿阻变性能的影响。研究成果以“柔性透明高效光电钙钛矿阻变器（Flexible Transparent High-efficiency Photoelectric Perovskite Resistive Switching Memory）”为题，于2022年5月22日在国际顶级期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）发表。论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202202951近年，柔性可穿戴、透明的RRAM器件备受关注。然而，目前报道的该类RRAM器件开关比较低、工作电压较大，难以满足物联网和大数据发展对大容量、低功耗存储的迫切需求。金属卤族钙钛矿材料因其优异的光电性能和内部存在离子迁移等现象被广泛应用于光电器件。因此，利用光电双控实现数据存储，实现RRAM器件光电双控阻变功能，具有重要的科学意义和应用价值。 该研究采用简单的低温旋涂法制备了基于CsPbBr3 量子点掺杂氧化石墨烯复合薄膜的柔性、透明RRAM器件。该器件在光触发条件下的开关比较暗态增大了1077倍，且阻变性能基本不受弯曲曲率和弯曲循环次数的影响。该研究成果为柔性光电双控RRAM器件的研制提供了新的解决方案，不仅有望用于无线传感器、折叠手机和可穿戴电子设备等柔性电子设备，在模拟神经系统中的神经突触等人工智能领域也具有巨大的应用潜力。