随着先进制程芯片正在逼近尺寸微缩极限，发展非硅材料新赛道是全球抢占的前沿战略高地。张跃院士团队聚焦二维半导体材料与芯片集成技术，建成了国内首个6英寸二维半导体材料与器件试验线，制备出了全球最大单晶、单层二硫化钼，研制出被美国“2D devices Trends”收录的全球最高迁移率晶体管，提出了Pseudo-CMOS新架构，研制出静态功耗仅为同类商用器件2%的二维半导体逻辑器件，为打造先进制程芯片二维半导体材料中国赛道，破局我国芯片卡脖子问题打下了坚实基础。