高质量材料制备是推进二维半导体材料迈向集成电路应用的核心基础。北京科技大学前沿交叉科学技术研究院张跃院士、张铮教授团队针对二维半导体材料难以制备出大面积单层单晶材料的关键挑战，创新设计了二维半导体材料的“张氏生长法”——二维熔融限域生长法（2D Two-dimensional Czochralski growth，2DCZ），成功实现了厘米级单层二硫化钼（MoS₂）单晶晶畴的快速高质量生长，远超已报道的最大单晶晶畴尺寸。相较于传统MoS2生长方法，本项目大大提高了MoS2生长质量和生产效率，电学性能更是接近机械剥离制备的单层MoS2水平。2DCZ法与硅基制造工艺兼容，为二维TMDCs的发展提供了理论指导，为二维半导体材料的工业化应用提供了可能。