随着AI数据中心和新能源汽车/新能源市场的快速增长，原有的功率半导体不能满足应用场景需要，IGBT频率低、功耗大，宽禁带半导体SiC MOS高能效、高功率密度，但成本高。

    新一代功率半导体GAT采用联栅架构，具有高可靠、高能效、低成本的优势，成本为SiC MOS的10%。GAT将推动电力电子产业升级，在新能源发电、电动汽车、工业驱动、智能电网、轨道交通、消费电子等领域，大幅度降低芯片及模块成本、简化散热系统、缩小整机体积。GAT工艺简单、产业链成熟，核心技术自主可控。