首次提出双层p型窗口层的结构控制以及调控掺杂剂的改变方式，以实现微晶硅电池用高晶化率、高电导窗口层要求。设计了电池用TCO新制备技术；首次提出高电导ITO薄膜作为种子诱导层，与MOCVD低温制备的绒面ZnO构成高性能ITO/ZnO复合透明导电薄膜技术。研发了高速沉积硅薄膜新制备方法。解决了关键工艺，研制出具有自主知识产权的硅薄膜沉积系统。实现了集成型非晶硅/微晶硅叠层电池技术。 通过本项目，在我国实现了具有自主知识产权的非晶硅/微晶硅叠层薄膜电池制造技术。有力地促进了国内硅薄膜电池企业技术和产品升级换代，提高了我国太阳电池研究和产业化技术水平。